Gülşən Nurəddin qızı Məmmədova

Məmmədova Gülşən Nurəddin qızı 07.09.1980-ci ildə Azərbaycan Respublikası Cəbrayıl rayonunun Horovlu kəndində anadan olub. 1986-cı ildə Horovlu kənd tam

orta məktəbin birinci sinfinə gedib. 1997-ci ildə Bakı şəhəri Nəsimi rayonunda yrləşən tam orta məktəbi bitirib. 1998-ci ildə Azərbaycan Texniki Universitetinin Avtomatika və Hesablama Texnikası fakültəsinin “Elektron Texnikası” istiqamətini  “Elektron cihazları və qurğuları” ixtisasına qəbul olub. 2002-ci ildə bakalavr pilləsini bitirmişdir. 2002-ci ldə  Azərbaycan Texniki Universitetinin Avtomatika və Hesablama Texnikası fakültəsinin “Elektron texnikası” istiqamətinin “Elektron qurğuları” ixtisasının magistr pilləsinə qəbul olunmuş, 2004-cü ildə magistr pilləsini bitirib və həmin ildən də Azərbaycan Texniki Universitetinin “Elektron Aparatlarının konstruksiya edilməsi” kafedrasının laborantı vəzifəsində işləmiş sonra isə baş laborant vəzifəsinə təyin olunub.

09.17.2014-cü il tarixdən Naxçıvan Dövlət Universitetinin İnformasiya və Rabitə Texnologiyası kafedrasında baş laborant vəzifəsinə təyin olunub. 2015-ci ildən isə Elektroenergetika mühəndisliyi kafedrasına müəllim vəzifəsinə təyin olunmuşdur və hal-hazırda həmin kafedrada müəllimə vəzifəsində çalışır.  27. 02. 2017-ci il tarixli 06 saylı protkolundan Məmmədova Gülşən Nurəddin qızı 2220.01-“Yarımkeçiricilər fizikası” ixtisası üzrə dissertanturaya (disertant) qəbulu ilə bağlı çıxarışa əsasən “Tlİn1-x Ga x C2, C-Se, Te kristallarının quruluşları və optik xassələri ” adlı mövzusu ilə  FP-90-PhD nömrəli  07. 05. 2018-ci tarixli əmrə əsasən Naxçıvan Dövlət Univesitetinin disertantıdır. 12 məqalə və 1 kitabın müəllifidir. Ailəlidir 3 övladı var.

Dərc olunmuş elmi əsərlərinin siyahısı

  1. Эффект переключения в монокристаллах InGa1-xTlxTe2  , Məqalə, American  Journa№ (17),  2017, vol.1, pp. 45- 54, Э.М.Годжаев , С.О.Кулиева , Г.Н.Мамедова
  2. SWITCHING EFFECT WITH  MEMORY IN TlIn1-xGaxSe2, TlIn1  xCexSe2 CRYSTALS , (C)Global Journal Of    Engineering Science And    Researches, ISSN 2348 – 8034, 5(12): December     2018, pp. 177-183.    M.Godjaev , G.N.Mammadova.
  3. Scientific Journal № (17), 2017, vol.1, pp. 45- 54, Э.М.Годжаев, С.О.Кулиева, Г.Н.Мамедова
  4. SWITCHING EFFECT WITH MEMORY IN TlIn1-xGaxSe2, TlIn1-xCexSe2 CRYSTALS, (C)Global Journal Of Engineering Science And Researches, ISSN 2348 – 8034, 5(12): December 2018, pp. 177-183. E.M.Godjaev, G.N.Mammadova, B.V.Aliyeva
  5. TlIn1-xGaxSe2 kristallarının rentgenofaza analizi və elektrik xassələri, Elmi əsərlər, Fundamental elmlər, Elmi-texniki jurnal, №2, 2018, s. 60- 63, E.M. Qocayev, G.N.Məmmədova
  6. TlIn1-xGaxSe2(Te2) bərk məhlullarının monokris-tallarının yetişdirilməsi və rentgenofaza analizi, Elmi əsərlər, Fundamental elmlər, Elmi-texniki jurnal, №4, 2018, s. 18- 24, G.N.Məmmədova, P.F.Əliyeva
  7. TlInTe2 və TlGaTe2 kristallarinda akustofotovoltaik effektin tədqiqi, Doktorantların və gənc tədqiqatçıların XXII Respublika elmi konfransı, ADPU, 2018, s 56, G.N.Məmmədova
  8. InGaTe2 birləşməsinin rentgenofaza analizi və elektron quruluşu, Elmi məcmuələr, “Azərbaycan hava yolları”, QSC, Milli aviasiya akademiyası, Bakı, 2018, cild 20, №4, s. 54-60, E.M.Qocayev, G.N.Məmmədova, A.M.Ramazanzadə
  9. TlIn1-x GaxC2 Tip kristalların alınması və rentgenofaza analizi, Maqnityumşaq ərintilərin İnformasiya Texnologiyalarında və Hərbi Sənayedə Tətbiqi Perespektivləri mövzusunda, “Beynəlxalq Elmi-Praktik konfransın materialları”, Bakı 09-10 oktyabr 2019-cu il.s114-116, E.M.Qocayev, G.N.Məmmədova
  10. Некоторые особенности структурных преврашени в кристаллах халькогенидах себера. Naxçıvan Dövlət Universiteti “Elmi əsərlər” Fizika –Riyaziyyat və texnika elimləri seriyası , Naxçıvan, NDU, “Qeyrət” – 2017 №4 (85), Ш. Казымов, Б. Гаджиева, Г.Н.Мамедова
  11. Materialların fiziki və kimyəvi xassələri arasında asıllıq. Azərbaycan Respublikası Təhsil Nazirliyi, Naxçıvan Müəllimlər İnistutunun Xəbərləri, Cilid: 11№4, 2015, Tex.üzrə fəlsıfə doktoru, Kamil Əliyev, Səftər Allahverdiyev, Gülşən Məmmədova.