[ultimate_heading main_heading=”Həsən Əsgər oğlu Həsənli. Fizika üzrə fəlsəfə doktoru, dosent” main_heading_color=”#2e73be” alignment=”left” spacer=”line_only” spacer_position=”middle” line_height=”1″ line_color=”#2e73be” margin_design_tab_text=””]02 fevral 1959-cu il tarixində  Naxçıvan Muxtar Respublikası Ordubad rayonu Biləv kəndində  anadan olmuş, 1966-cı ildə C.Cabbarlı adına Biləv kənd orta məktəbinin birinci sinfinə getmiş, 1976-cı ildə həmin məktəbin  onuncu sinfini bitirmişədir. 1976-cı ildə Ç. İldırım adına Azərbaycan Politexnik İnstitutunun “Avtomatika  və hesablama texnikası”  fakultəsinin  Elektron Hesablama Maşınları ixtisasına qəbul olmuş 1981-ci ildə  həmin institutun, həmin ixtisasın tam kursunu bitirərək  mühəndis-sistemotexnik  diplomunu almışdır. Təyinatla (göndərişlə)  03 yanvar 1982-ci ildən  Naxçıvan Prdaqoji İnstitutunun  “Riyazi analiz və funksiyalar nəzəriyyəsi” kafedrasının nəzdində olan EHM-də  mühəndis kimi fəaliyyətə başlamışdır. Sonradan proqramçı-mühəndis, EHM-in rəisi  vəzifələrində çalışmış, 1991-ci ildən  “Fizika və radioelektronika “ kafedrasında  müəllim, 1998-ci ildən isə NDU-nun “İnformatika” kafedrasının baş müəllimi təyin olunmuşdur. 2007-ci ildə  “Elektrokimyəvi çökdürmə  üsulu ilə  Cdx-1 ZnxS və Cd1-y Sey  nazik təbəqələri əsasında hazırlanmış heterokeçidlərin elektrik və fotoelektrik xassələri” mövzusunda  dissertasiya işini müdafiyə edərək 01.04.04 indeksi ilə  fizika üzrə fəlsəfə doktoru  alimlik dərəcəsi almışdır. 2013-cü ildən 2018-ci ilədək  “Rabitə və İnformasiya texnologiyaları” kafedrasının müdiri vəzifəsində  işləmişdir. 2016-cı ildən “Rabitə və İnformasiya texnologiyaları” kafedrasının  dosentidir. Hal hazırda “Nəqliyyat və İnformasiya  texnologiyaları”  kafdrasında  0.5ştat  dosent  vəzifəsində işləyir. Yeni Azərbaycan Partiyasının üzvdür. Ailəlidir. 2 övladı var.

 

Dərc olunmuş elmi əsərlər

 

1.Investigation of electrodeposited p-Si/n-CdS1Seyheterojunction solar cells. Proc.of 2nd International Conference on Technical and Physical Problems in Power Engineering,2004,p.786-789.

  1. Фоточувствительность гетеропереходов p-Si/n-Cd1-хZnxSв видимой и ближней ИК области спектра. XVIII Международная конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения,2004,стр,196-197,Москва,Россия
  2. К вопросу о возможности повышения степени стабилности параметров и характеристик ИК фотоприемников на основе пленок CdS1xSex. XVIII.Международная конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения,2004,стр144, Москва, Россия.
  3. Солнечные преобразователи на основе изотипнных гетероструктур In2O3/Cd1-xZnxS/CdS1-ySeyполученных метедом электрохимического осаждения. Проблемы энергетики,№1,2004,Ст.64-70
  4. Photosensitivity of p,n-Si/n-Cd1-x-ZnxSheterojunctions manufactured by a method of electrochemical deposition. European Materials Research Society Spring Meeting,Strasbourg, France,2004,p.O/PIII.36.
  5. Механизм образования донорно-акепторных пар в электрохимического осажденных пленках CdS1-xSex. Fizikanın aktual problemləri III Respublika elmi konfr.materialları, Bakı ,2004,s.77.
  6. Некоторые физические свойства изотипных гетеропеходов n-Si/n-Cd1-xZnxSполученных электрохимическим способом. Fizikanın aktual problemləri III Respublika elmi konfr.materialları, Bakı ,2004,s.67-68
  7. Электрохимические и фотоелектрические свойства изотипных гетероструктур

In2O3/Cd1-xZnxS/CdS1-ySey Сборник трудов IV Международной конференции«Аморфные и микрокристаллические полупроводники»,Санкт-Петербург,Россия,2004,ст.222-223

  1. Электрохимические и фотоелектрические свойствагетеропереходов. НеорганическиеМатериалы, т.41,№3,ст.276-280,2005.
  2. Photosensitivity of p,n-Si/n-Cd1-xZnxSheterojunctions manufactured by a method of electrochemical deposition. Thin Solid Films,v.480-481,

pp.388-391,2005.

11.On the opportunity of parametrs and characteristics of IR photoreceivers on the basis of Mo/CdS1-xSex. Proc.SPIE,v.5834,pp.294-298,2005.

  1. Фоточувствительность гетеропереходов p-Si/n-Cd1-хZnxSв видимой и ближней ИК области. Прикладная физика, №5,с.79-82, 2006.
  2. К вопросу о возможности повышения степени стабилности параметров и характеристик ИК фотоприемников на основе пленок CdS1–xSex. Прикладная физика, №5,с.82-86,2006.
  3. p-Si/n-Cd1-хZnxSheterokeçidləri əsasında yaxın infraqırmızı fotoqəbulediciləri. NDU Fizika-riyaziyyat və texnika elm. seriyası.№ 1 (43)

Naxçıvan NDU “Qeyrət” 2012.

  1. İşıqlandırma sistemini avtomatik idarə edən elektron qurğusu. NDU Fizika-riyaziyyat və texnika.elm. seriyası № 2(56)

Naxçıvan NDU “Qeyrət” 2013.

  1. Məişət nasoslarının elektron mühafizə qurğusu. NDU Fizika-riyaziyyat və texnika.elm. seriyası № 3 (59) Naxçıvan NDU “Qeyrət” 2014
  2. Müasir elektron saat qurğusunun yeni variantı. NDU Fizika-riyaziyyat və texnika.elm. seriyası № 9(65) Naxçıvan NDU “Qeyrət” 2015.
  3. İnformatika. Dərs vəsaiti. Azərbaycan Pedaqoji Universitetinin mətbəəsi 2016. 584 səh.

E-mail:  qasanli@mail.ru[/ultimate_heading]